异形硅片激光切割微小孔加工

联系人:张经理 硅片切割机又名硅片激光切割机，激光划片机。是激光划片机在 电子行业硅基片的切割的又一新领域的应用。激光划片是利用高能激光束照射在工件表面,使被照射区域局部熔化、气化、从而达到划片的目的。因激光是经专用光学系统聚焦后成为一个非常小的光点，能量密度高，因其加工是非接触式的，对工件本身无机械冲压力，工件不易变形。热影响极小，划精度高，广泛应用于太阳能电池板、薄金属片的切割和划片 硅片激光切割设备的特点： ·高配置：采用进口光纤激光器，光束质量更好（标准基模）、切缝更细（30μm）、边缘更平整光滑。 ·免维护：整机采用国际标准模块化设计，真正免维护、不间断连续运行、无消耗性易损件更换。 ·操作方便：设备集成风冷设置，设备体积更小，操作更简单。 ·专用控制软件：专为激光划片机而设计的控制软件，操作简单，能实时显示划片路径。 ·工作效率高：T型台双工位交替运行，提高工作效率。 激光属于无接触式加工，不对晶圆产生机械应力的作用，对晶圆损伤较小。由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优越性，可以进行小部件的加工；即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效地进行材料加工。大多数材料吸收激光直接将硅材料气化，形成沟道。从而实现切割的目的因为光斑点较小， 低限度的炭化影响。 随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。 因此晶圆激光切割的方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂 激光切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体，于传统方法相比 1、加工速度快；2、窄切槽（20um-30um），晶圆利用率高；3、非接触式加工，适合薄基圆；4、自动化程度高，任意图形切割。目前激光切割技术可以应用于切割硅片、低k材料、发光二极管衬底、微机电系统和薄膜太阳能电池等光电及半导体材料。 晶圆（Wafer）是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。 晶圆是 常用的半导体材料，按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格，近来发展出12英寸甚至研发更大规格（14英吋、15英吋、16英吋、……20英吋以上等